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NVLJD4007NZTAG备选型号: DMN63D8LDW-7
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- 包装/外壳
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- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 底架
- 质量
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 参考标准
- 操作模式
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
MOSFET NFET WDFN6 30V 1.4 OhmsACTIVE (Last Updated: 1 week ago)2 Weeks表面贴装6-WDFN Exposed PadYES62-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)755mW6Dual755mW9 ns2 N-Channel (Dual)7 Ω @ 125mA, 4.5V1.5V @ 100μA无卤素20pF @ 5V0.75nC @ 4.5V41ns30V72 ns245mA10V30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无ROHS3 Compliant无铅--------------------
MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363-15 Weeks表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363-62-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99-300mW-Dual300mW3.3 ns2 N-Channel (Dual)2.8 Ω @ 250mA, 10V1.5V @ 250μA-22pF @ 25V870nC @ 10V3.2ns30V6.3 ns220mA20V30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无ROHS3 Compliant无铅Tin表面贴装6.010099mgSILICON6HIGH RELIABILITY鸥翼26040DMN63D8LAEC-Q101增强型MOSFETSWITCHING1.5V4.5Ohm150°C1.1mm2.2mm1.35mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN63D8LDW-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 | 对比 |
 | DMN32D2LFB4-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-XFDFN | MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN | 对比 |
 | DMP32D9UFZ-7B | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-XFDFN | MOSFET P-Ch 30V 0.35VnC Enh Mode FET -0.2A | 对比 |
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