NVLJD4007NZTAG
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ON Semiconductor NVLJD4007NZTAG

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型号

NVLJD4007NZTAG

utmel 编号

1807-NVLJD4007NZTAG

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

6-WDFN Exposed Pad

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET NFET WDFN6 30V 1.4 Ohms

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NVLJD4007NZTAG
NVLJD4007NZTAG ON Semiconductor MOSFET NFET WDFN6 30V 1.4 Ohms

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NVLJD4007NZTAG详情

ON Semiconductor NVLJD4007NZTAG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

  • 工厂交货时间

    2 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-WDFN Exposed Pad

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    6

  • Number of Elements

    2

  • Turn Off Delay Time

    96 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2013

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最大功率耗散

    755mW

  • 引脚数量

    6

  • 元素配置

    Dual

  • 功率耗散

    755mW

  • 接通延迟时间

    9 ns

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    7 Ω @ 125mA, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.5V @ 100μA

  • 无卤素

    无卤素

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    20pF @ 5V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    0.75nC @ 4.5V

  • 上升时间

    41ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • 下降时间(典型值)

    72 ns

  • 连续放电电流(ID)

    245mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    10V

  • 漏源击穿电压

    30V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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右边的3个型号有着和ON Semiconductor & NVLJD4007NZTAG相似的参数规格。

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NVLJD4007NZTAG拓展信息

FDG6301N
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NDC7001C
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FDS4935BZ
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ON Semiconductor

FDC6303N
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FDC6301N
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ON Semiconductor

FDS8958A
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ON Semiconductor

FDC6333C
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ON Semiconductor

FDS4935A
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FDG8850NZ
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FDS6898A
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ON Semiconductor

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