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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.645248
500
¥0.474449
1000
¥0.39537
2000
¥0.362723
5000
¥0.338999
10000
¥0.315344
15000
¥0.304981
50000
¥0.299882
ON Semiconductor NVLJD4007NZTAG
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- 对比
NVLJD4007NZTAG
1807-NVLJD4007NZTAG
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-WDFN Exposed Pad
大陆
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MOSFET NFET WDFN6 30V 1.4 Ohms
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NVLJD4007NZTAG详情
ON Semiconductor NVLJD4007NZTAG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
2 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-WDFN Exposed Pad
表面安装
YES
引脚数
6
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
96 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
755mW
引脚数量
6
元素配置
Dual
功率耗散
755mW
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
7 Ω @ 125mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 100μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
20pF @ 5V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.75nC @ 4.5V
上升时间
41ns
漏源电压 (Vdss)
30V
下降时间(典型值)
72 ns
连续放电电流(ID)
245mA
栅极至源极电压(Vgs)
10V
漏源击穿电压
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NVLJD4007NZTAG拓展信息










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