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首页 全部分类 NVMFD5483NLWFT1G vs NVMFS5826NLWFT1G

NVMFD5483NLWFT1G备选型号: NVMFS5826NLWFT1G

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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
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  • 通道数量
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • Vgs（最大值）
  • ON Semiconductor
    NVMFD5483NLWFT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET Pwr MOSFET 60V 24A 36mOhm Dual N-CH
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
    13 Weeks
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    6.4A
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    3.1W
    8
    2
    Dual
    6.8 ns
    2 N-Channel (Dual)
    36m Ω @ 15A, 10V
    2.5V @ 250μA
    无卤素
    668pF @ 25V
    23.4nC @ 10V
    10.3ns
    60V
    23.5 ns
    24A
    20V
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVMFS5826NLWFT1G
    ON Semiconductor
    Power MOSFET 60V, 26A, 24 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    38 Weeks
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    5
    8A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    5
    1
    Single
    9 ns
    N-Channel
    24m Ω @ 10A, 10V
    2.5V @ 250μA
    无卤素
    850pF @ 25V
    17nC @ 10V
    32ns
    60V
    24 ns
    26A
    20V
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    YES
    ±20V
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