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首页 全部分类 NVMFD5483NLWFT3G vs NTMFS5C646NLT1G

NVMFD5483NLWFT3G备选型号: NTMFS5C646NLT1G

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  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 操作模式
  • 箱体转运
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  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NVMFD5483NLWFT3G
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 60V 6.4A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    3.1W
    8
    3.1W
    6.8 ns
    2 N-Channel (Dual)
    36m Ω @ 15A, 10V
    2.5V @ 250μA
    无卤素
    668pF @ 25V
    23.4nC @ 10V
    10.3ns
    60V
    23.5 ns
    6.4A
    20V
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMFS5C646NLT1G
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C646NLT1GMOSFET Transistor, N Channel, 19 A, 60 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2 V
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    19A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    10.4 ns
    N-Channel
    4.7m Ω @ 50A, 10V
    2V @ 250μA
    -
    2164pF @ 25V
    33.7nC @ 10V
    14.9ns
    -
    5.1 ns
    19A
    20V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    5
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    ±20V
    2V
    0.0063Ohm
    60V
    750A
    1.05mm
    6.1mm
    5.1mm
    无SVHC
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