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首页 全部分类 NVMFD5483NLWFT3G vs NVMFS5C670NLT1G

NVMFD5483NLWFT3G备选型号: NVMFS5C670NLT1G

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  • 场效应管特性
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  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • 参考标准
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  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
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  • 阈值电压
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  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NVMFD5483NLWFT3G
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 60V 6.4A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    3.1W
    8
    3.1W
    6.8 ns
    2 N-Channel (Dual)
    36m Ω @ 15A, 10V
    2.5V @ 250μA
    无卤素
    668pF @ 25V
    23.4nC @ 10V
    10.3ns
    60V
    23.5 ns
    6.4A
    20V
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVMFS5C670NLT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 71A SO8FL
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 14 hours ago)
    38 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    17A Ta 71A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    yes
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    11 ns
    N-Channel
    6.1m Ω @ 35A, 10V
    2V @ 250μA
    -
    1400pF @ 25V
    20nC @ 10V
    60ns
    60V
    4 ns
    71A
    20V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    SILICON
    5
    DUAL
    FLAT
    not_compliant
    AEC-Q101
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    ±20V
    2V
    440A
    60V
    166 mJ
    无SVHC
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