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首页 全部分类 NVMFS4C03NT1G vs IRF6725MTRPBF

NVMFS4C03NT1G备选型号: IRF6725MTRPBF

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  • 无铅
  • 系列
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  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NVMFS4C03NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    31.4A Ta 143A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    not_compliant
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    2.1m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    3071pF @ 15V
    45.2nC @ 10V
    32ns
    ±20V
    17 ns
    143A
    20V
    0.0024Ohm
    30V
    900A
    549 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6725MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET
    -
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    5
    SILICON
    28A Ta 170A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    -
    BOTTOM
    -
    -
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    16 ns
    N-Channel
    2.2m Ω @ 28A, 10V
    2.35V @ 100μA
    4700pF @ 15V
    54nC @ 4.5V
    22ns
    ±20V
    13 ns
    170A
    20V
    0.0022Ohm
    30V
    220A
    190 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    HEXFET®
    EAR99
    100W
    SWITCHING
    1.8V
    28A
    1.8 V
    506μm
    6.35mm
    5.05mm
    无SVHC
    无
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