NVMFS4C03NT1G备选型号: NTMFS4C03NT1G

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • DS 击穿电压-最小值
  • ON Semiconductor
    MOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    31.4A Ta 143A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    not_compliant
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    2.1m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    3071pF @ 15V
    45.2nC @ 10V
    32ns
    ±20V
    17 ns
    143A
    20V
    0.0024Ohm
    30V
    900A
    549 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    Single N-Channel Power MOSFET 30V, 136A, 2.1mO
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    30A Ta 136A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    not_compliant
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    -
    N-Channel
    2.1m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    3071pF @ 15V
    45.2nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    136A
    -
    -
    -
    900A
    549 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    未说明
    未说明
    SWITCHING
    30V
    30V
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