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首页 全部分类 NVMFS4C03NT1G vs IRFH8311TRPBF

NVMFS4C03NT1G备选型号: IRFH8311TRPBF

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  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 通道数量
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 功率耗散
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NVMFS4C03NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    31.4A Ta 143A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    not_compliant
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    2.1m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    3071pF @ 15V
    45.2nC @ 10V
    32ns
    ±20V
    17 ns
    143A
    20V
    0.0024Ohm
    30V
    900A
    549 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH8311TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-TQFN Exposed Pad
    8
    -
    32A Ta 169A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    -
    21 ns
    N-Channel
    2.1m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 100μA
    4960pF @ 10V
    66nC @ 10V
    26ns
    ±20V
    12 ns
    32A
    20V
    -
    30V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    HEXFET®
    EAR99
    3.6W
    无
  • 添加型号
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