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首页 全部分类 NVMFS5826NLWFT1G vs NTMFS5C646NLT1G

NVMFS5826NLWFT1G备选型号: NTMFS5C646NLT1G

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 底架
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NVMFS5826NLWFT1G
    ON Semiconductor
    Power MOSFET 60V, 26A, 24 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    38 Weeks
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    YES
    5
    8A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    5
    1
    Single
    9 ns
    N-Channel
    24m Ω @ 10A, 10V
    2.5V @ 250μA
    无卤素
    850pF @ 25V
    17nC @ 10V
    32ns
    60V
    ±20V
    24 ns
    26A
    20V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMFS5C646NLT1G
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C646NLT1GMOSFET Transistor, N Channel, 19 A, 60 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2 V
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    -
    8
    19A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    1
    Single
    10.4 ns
    N-Channel
    4.7m Ω @ 50A, 10V
    2V @ 250μA
    -
    2164pF @ 25V
    33.7nC @ 10V
    14.9ns
    -
    ±20V
    5.1 ns
    19A
    20V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    SILICON
    5
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F5
    增强型MOSFET
    DRAIN
    2V
    0.0063Ohm
    60V
    750A
    1.05mm
    6.1mm
    5.1mm
    无SVHC
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