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首页 全部分类 NVMFS5C646NLT1G vs DMN62D0LFB-7

NVMFS5C646NLT1G备选型号: DMN62D0LFB-7

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  • 工厂交货时间
  • 底架
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  • 引脚数
  • 操作温度
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  • JESD-609代码
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NVMFS5C646NLT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET SO8FL 60V 92A 4.7MOH
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
    38 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    20A Ta 93A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    not_compliant
    Single
    1
    10.4 ns
    N-Channel
    4.7m Ω @ 50A, 10V
    2V @ 250μA
    2164pF @ 25V
    33.7nC @ 10V
    14.9ns
    ±20V
    5.1 ns
    93A
    20V
    60V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN62D0LFB-7
    Diodes Incorporated
    Trans MOSFET N-CH 60V 0.1A Automotive 3-Pin DFN T/R
    -
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-UFDFN
    3
    100mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    1
    3.4 ns
    N-Channel
    2 Ω @ 100mA, 4V
    1V @ 250μA
    32pF @ 25V
    0.45nC @ 4.5V
    3.4ns
    ±20V
    16.3 ns
    100mA
    20V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Gold
    SILICON
    3
    HIGH RELIABILITY
    BOTTOM
    3
    Single
    增强型MOSFET
    470mW
    DRAIN
    SWITCHING
    60V
    2Ohm
    60V
    6 pF
    无SVHC
    无
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