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NVMFS6B14NT1G备选型号: DMN2014LHAB-7
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- JESD-609代码
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
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- Reach合规守则
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 输入电容
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 安装类型
- 操作温度
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET N-CH 100V 15A SO8FLACTIVE (Last Updated: 1 day ago)38 WeeksTin表面贴装DFN816.6 nsTape & Reel (TR)2015e3yes活跃1 (Unlimited)175°C-55°C3.8Wnot_compliant9.6 ns39ns100V6.8 ns55A16V1.3nF15 mΩROHS3 Compliant无铅---------------
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN-14 Weeks-表面贴装6-UFDFN Exposed Pad79ATape & Reel (TR)2015e4-活跃1 (Unlimited)--800mW-6.9 ns15.5ns20V12 ns9.3A12V--ROHS3 Compliant-表面贴装-55°C~150°C TJEAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)260302 N-Channel (Dual) Common Drain13m Ω @ 4A, 4.5V1.1V @ 250μA1550pF @ 10V16nC @ 4.5V逻辑电平门600μm3.05mm2.05mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN2014LHAB-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-UFDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN | 对比 |
| NTMFS6B14NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | ON SEMICONDUCTOR NTMFS6B14NT1G MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 100 V, 0.0122 ohm, 10 V, 4 V | 对比 |
| NVMFS5C670NLT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 60V 71A SO8FL | 对比 |
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