NVTFS4824NTAG备选型号: IRFH7936TRPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- 配置
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 达到SVHC
- MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFNACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)23 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerWDFN8SILICON18.2A Ta-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2011e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)DUALFLAT8R-PDSO-F5Single增强型MOSFET3.2WDRAIN12 nsN-Channel4.7m Ω @ 23A, 10V2.5V @ 250μA无卤素1740pF @ 12V14nC @ 4.5V27ns30V±20V6 ns46A20V0.0075Ohm402A30V72 mJ750μm3.15mm3.15mm无ROHS3 Compliant无铅-----
- MOSFET N-CH 30V 20A PQFN-16 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8-20A Ta 54A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2009--Obsolete1 (Unlimited)-EAR99------增强型MOSFET3.1W-17 nsN-Channel4.8m Ω @ 20A, 10V2.35V @ 50μA-2360pF @ 15V26nC @ 4.5V12ns-±20V7 ns54A20V----1.1684mm5.2324mm6.1468mm无ROHS3 Compliant无铅HEXFET®Single76A30V无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH7936TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 20A PQFN | 对比 |
![]() | IRFHM830TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-VQFN Exposed Pad | MOSFET N-CH 30V 21A PQFN | 对比 |
![]() | IRFHM8329TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 16A PQFN | 对比 |





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