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首页 全部分类 NVTFS4824NTAG vs IRFHM8329TRPBF

NVTFS4824NTAG备选型号: IRFHM8329TRPBF

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  • 元素配置
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 上升时间
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  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 配置
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NVTFS4824NTAG
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    SILICON
    18.2A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    8
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    3.2W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    4.7m Ω @ 23A, 10V
    2.5V @ 250μA
    无卤素
    1740pF @ 12V
    14nC @ 4.5V
    27ns
    30V
    ±20V
    6 ns
    46A
    20V
    0.0075Ohm
    402A
    30V
    72 mJ
    750μm
    3.15mm
    3.15mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHM8329TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 16A PQFN
    -
    39 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    16A Ta 57A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    -
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    DUAL
    FLAT
    -
    S-PDSO-F5
    -
    增强型MOSFET
    2.6W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    6.1m Ω @ 20A, 10V
    2.2V @ 25μA
    -
    1710pF @ 10V
    26nC @ 10V
    74ns
    -
    ±20V
    14 ns
    16A
    20V
    -
    230A
    -
    43 mJ
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    HEXFET®
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    SWITCHING
    1.7V
    30V
    无SVHC
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