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PBSS302PDH备选型号: MBT35200MT2G
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- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 基本部件号
TRANS PNP 40V 4A 6TSOP4 WeeksTin表面贴装表面贴装SC-74, SOT-4576SILICON40V-46mV150°C TJTape & Reel (TR)2007活跃1 (Unlimited)62.5WDUAL鸥翼6Single360mWSWITCHING110MHzPNPPNP450mV4A175 @ 2A 2V100nA ICBO450mV @ 600mA, 6A110MHz40V-40V-5V无ROHS3 Compliant---
Trans GP BJT PNP 35V 2A 6-Pin TSOP T/R18 Weeks-表面贴装表面贴装SOT-23-66-35V--Tape & Reel (TR)2005Obsolete1 (Unlimited)-1W---Single625mW-100MHz-PNP35V2A100 @ 1.5A 1.5V100nA310mV @ 20mA, 2A--55V5V无符合RoHS标准150°C-55°CMBT35200- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | PMD9050D,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - 特殊用途 | SC-74, SOT-457 | IC MOSFET DRIVER 6TSOP | 对比 |
| MBT35200MT2G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | SOT-23-6 | Trans GP BJT PNP 35V 2A 6-Pin TSOP T/R | 对比 |
| PMEM4020ND,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | SC-74, SOT-457 | TRANS NPN 40V 0.95A 6TSOP | 对比 |
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