Nexperia USA Inc. PBSS302PDH

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-74, SOT-457

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-46mV

Number of Elements

1

hFEMin

200

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

最大功率耗散

2.5W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

引脚数量

6

元素配置

Single

功率 - 最大

360mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

110MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

450mV

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

175 @ 2A 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

450mV @ 600mA, 6A

转换频率

110MHz

最大击穿电压

40V

集电极基极电压(VCBO)

-40V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant