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首页 全部分类 PBSS4140DPN,115 vs MBT35200MT2G

PBSS4140DPN,115备选型号: MBT35200MT2G

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  • 发射极基极电压 (VEBO)
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  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • Nexperia USA Inc.
    PBSS4140DPN,115
    Nexperia USA Inc.
    TRANS NPN/PNP 40V 1A 6TSOP
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-74, SOT-457
    6
    SILICON
    40V
    500mV
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2001
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    370mW
    鸥翼
    150MHz
    PBSS4140DPN
    6
    NPN, PNP
    Dual
    370mW
    600mW
    SWITCHING
    150MHz
    NPN, PNP
    40V
    1A
    300 @ 500mA 5V
    100nA
    500mV @ 100mA, 1A
    150MHz
    40V
    40V
    5V
    1mm
    3.1mm
    1.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MBT35200MT2G
    ON Semiconductor
    Trans GP BJT PNP 35V 2A 6-Pin TSOP T/R
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    -
    35V
    -
    -
    Tape & Reel (TR)
    2005
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    MBT35200
    -
    -
    Single
    -
    625mW
    -
    -
    PNP
    35V
    2A
    100 @ 1.5A 1.5V
    100nA
    310mV @ 20mA, 2A
    -
    -
    55V
    5V
    -
    -
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    -
    100MHz
    150°C
    -55°C
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