注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.181569
10
¥1.114688
100
¥1.051592
500
¥0.992068
1000
¥0.935914
Nexperia USA Inc. PBSS4140DPN,115
- 收藏
- 对比
PBSS4140DPN,115
1729-PBSS4140DPN,115
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
SC-74, SOT-457
大陆
立即发货

TRANS NPN/PNP 40V 1A 6TSOP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PBSS4140DPN,115详情
Nexperia USA Inc. PBSS4140DPN,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-74, SOT-457
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40V
Collector-Emitter Saturation Voltage
500mV
Number of Elements
2
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2001
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
370mW
终端形式
鸥翼
频率
150MHz
基本部件号
PBSS4140DPN
引脚数量
6
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
功率耗散
370mW
功率 - 最大
600mW
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
150MHz
晶体管类型
NPN, PNP
集电极发射器电压(VCEO)
40V
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
300 @ 500mA 5V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 100mA, 1A
转换频率
150MHz
最大击穿电压
40V
集电极基极电压(VCBO)
40V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
1mm
长度
3.1mm
宽度
1.7mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PBSS4140DPN,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.







哦! 它是空的。