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PD57018STR-E备选型号: PD57018-E

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  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 增益
  • 最大输出功率
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 电压-测试
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 电压 - 额定直流
  • 最小击穿电压
  • 功率增益
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    PD57018STR-E
    STMicroelectronics
    TRANSISTOR RF POWERSO-10
    25 Weeks
    表面贴装
    PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    3
    1
    Tape & Reel (TR)
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    哑光锡
    165°C
    -65°C
    HIGH RELIABILITY
    31.7W
    DUAL
    FLAT
    250
    not_compliant
    2.5A
    945MHz
    30
    PD57018
    10
    R-PDSO-F2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    31.7W
    SOURCE
    100mA
    AMPLIFIER
    65V
    N-CHANNEL
    LDMOS
    2.5A
    20V
    16.5dB
    18W
    65V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    760mOhm
    28V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    PD57018-E
    STMicroelectronics
    FET RF 65V 945MHZ PWRSO10
    25 Weeks
    表面贴装
    PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    3
    1
    Tube
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    -
    165°C
    -65°C
    HIGH RELIABILITY
    31.7W
    DUAL
    鸥翼
    250
    -
    2.5A
    945MHz
    30
    PD57018
    10
    R-PDSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    31.7W
    SOURCE
    100mA
    AMPLIFIER
    65V
    N-CHANNEL
    LDMOS
    2.5A
    20V
    -
    18W
    65V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    760mOhm
    28V
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    Tin
    65V
    65V
    16.5dB
    3.5mm
    7.5mm
    9.4mm
    无
    无铅
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