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首页 全部分类 PD84006L-E vs PMN34LN,135

PD84006L-E备选型号: PMN34LN,135

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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • STMicroelectronics
    PD84006L-E
    STMicroelectronics
    FET RF 25V 870MHZ
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    11 Weeks
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    14
    1
    Cut Tape (CT)
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    哑光锡
    150°C
    -65°C
    31W
    DUAL
    225
    5A
    870MHz
    PD84006
    8
    S-PDSO-N8
    Single
    增强型MOSFET
    31W
    SOURCE
    150mA
    AMPLIFIER
    25V
    N-CHANNEL
    LDMOS
    5A
    15V
    15dB
    6W
    5A
    25V
    2W
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    7.5V
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PMN34LN,135
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP
    -
    -
    -
    SC-74, SOT-457
    -
    5.7A Tc
    Tape & Reel (TR)
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    DUAL
    未说明
    -
    -
    -
    6
    R-PDSO-G6
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    -
    SWITCHING
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    5.7A
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    YES
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    TrenchMOS™
    1997
    8541.29.00.75
    鸥翼
    未说明
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    N-Channel
    34m Ω @ 2.5A, 10V
    2V @ 1mA
    500pF @ 20V
    13.1nC @ 10V
    ±15V
    0.034Ohm
    20V
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