PD85015STR-E备选型号: PD20010TR-E
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- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
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- ECCN 代码
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
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- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 测试电流
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 增益
- 最大输出功率
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 功率 - 输出
- 场效应管技术
- 电压-测试
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF表面贴装PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)31Tape & Reel (TR)Obsolete3 (168 Hours)2EAR99165°C-65°CHIGH RELIABILITY59WDUALFLAT未说明5A870MHz未说明PD8501510R-PDFP-F2不合格Single增强型MOSFET59WSOURCE150mAAMPLIFIER40VN-CHANNELLDMOS5A15V16dB20W5A40V15WMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR13.6VROHS3 Compliant-
- TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM表面贴装PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)31Tape & Reel (TR)活跃3 (168 Hours)2EAR99150°C-65°CESD PROTECTION, HIGH RELIABILITY59WDUAL鸥翼未说明5A2GHz未说明PD2001010R-PDSO-G2不合格Single增强型MOSFET59WSOURCE150mAAMPLIFIER40VN-CHANNELLDMOS5A15V11dB15W5A40V10WMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR13.6VROHS3 Compliant25 Weeks
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PD20010-E | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | Trans RF MOSFET N-CH 40V 5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube | 对比 |
| NIF62514T1G | ON Semiconductor | PMIC - 配电开关,负载驱动器 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH HD 6A 40V SOT223 | 对比 | |
![]() | PD20010TR-E | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM | 对比 |




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