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首页 全部分类 PDTA114ET,215 vs FJV4104RMTF

PDTA114ET,215备选型号: FJV4104RMTF

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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 频率转换
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    PDTA114ET,215
    Nexperia USA Inc.
    NEXPERIA - PDTA114ET,215 - TRANS, PNP, W/RES 2X10K, 50V, SOT23
    4 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    TO-236AB
    100mA
    Tape & Reel (TR)
    2001
    活跃
    1 (Unlimited)
    PDTA114
    PNP
    250mW
    PNP - Pre-Biased
    30 @ 5mA 5V
    1μA
    150mV @ 500μA, 10mA
    50V
    10 kOhms
    10 kOhms
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FJV4104RMTF
    ON Semiconductor
    Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R
    2 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    -
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2016
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    FJV4104
    PNP
    -
    PNP - Pre-Biased
    68 @ 5mA 5V
    100nA ICBO
    300mV @ 500μA, 10mA
    -
    47 k Ω
    47 k Ω
    符合RoHS标准
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
    表面贴装
    30mg
    e3
    yes
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    8541.21.00.95
    -50V
    200mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    -100mA
    30
    不合格
    Single
    200mW
    SWITCHING
    50V
    100mA
    200MHz
    50V
    200MHz
    -50V
    -10V
    -100mA
    无铅
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