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1

￥1.721491
10

￥1.624047
100

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500

￥1.445397
1000

￥1.363583

Toshiba Semiconductor and Storage RN2412TE85LF

Name: RN2412TE85LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2541-RN2412TE85LF
Price: 1.72 USD
Availability: InStock
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对比

型号

RN2412TE85LF

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-RN2412TE85LF

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin S-Mini T/R

起订量

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RN2412TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin S-Mini T/R

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RN2412TE85LF详情

技术参数

型号对比

Toshiba Semiconductor and Storage RN2412TE85LF重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

12 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数

3
Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V
Number of Elements

1
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2009
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
ECCN 代码

EAR99
最高工作温度

150°C
最小工作温度

-55°C
最大功率耗散

200mW
极性

PNP
元素配置

Single
晶体管类型

PNP - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)

50V
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 1mA 5V
最大集极截止电流

100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250μA, 5mA
最大击穿电压

50V
频率转换

200MHz
电阻基(R1)

22 k Ω
辐射硬化

无
RoHS状态

符合RoHS标准

0个相似型号

RN2412TE85LF拓展信息

热销零件