PDTA114ET,215备选型号: RN2412TE85LF
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- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
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- 电阻基(R1)
- 电阻-发射极基极(R2)
- RoHS状态
- 底架
- ECCN 代码
- 最高工作温度
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- 最大集电极电流
- 最大击穿电压
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- NEXPERIA - PDTA114ET,215 - TRANS, PNP, W/RES 2X10K, 50V, SOT234 Weeks表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33TO-236AB100mATape & Reel (TR)2001活跃1 (Unlimited)PDTA114PNP250mWPNP - Pre-Biased30 @ 5mA 5V1μA150mV @ 500μA, 10mA50V10 kOhms10 kOhmsROHS3 Compliant-----------
- Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin S-Mini T/R12 Weeks表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33-50VTape & Reel (TR)2009活跃1 (Unlimited)-PNP-PNP - Pre-Biased120 @ 1mA 5V100nA ICBO300mV @ 250μA, 5mA-22 k Ω-符合RoHS标准表面贴装EAR99150°C-55°C200mWSingle50V100mA50V200MHz无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RN2413TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin S-Mini T/R | 对比 | |
![]() | FJV4104RMTF | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R | 对比 |
| RN2412TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin S-Mini T/R | 对比 |




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