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首页 全部分类 PDTA143ET,215 vs RN2413TE85LF

PDTA143ET,215备选型号: RN2413TE85LF

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  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
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  • 电阻-发射极基极(R2)
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  • RoHS状态
  • 底架
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 元素配置
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大击穿电压
  • 频率转换
  • 辐射硬化
  • Nexperia USA Inc.
    PDTA143ET,215
    Nexperia USA Inc.
    PDTA143ET Series 50 V 100 mA SMT PNP Resistor-Equipped Transistor - SOT-23
    4 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    SILICON
    100mA
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    8541.21.00.95
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    PDTA143
    3
    不合格
    PNP
    SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
    250mW
    SWITCHING
    PNP - Pre-Biased
    30 @ 10mA 5V
    1μA
    150mV @ 500μA, 10mA
    50V
    4.7 k Ω
    4.7 k Ω
    5pF
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN2413TE85LF
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin S-Mini T/R
    12 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -
    3
    -
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2009
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    PNP
    -
    -
    -
    PNP - Pre-Biased
    120 @ 1mA 5V
    100nA ICBO
    300mV @ 250μA, 5mA
    -
    47 k Ω
    -
    -
    符合RoHS标准
    表面贴装
    150°C
    -55°C
    200mW
    Single
    50V
    100mA
    50V
    200MHz
    无
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