您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 PEMD2,115 vs PBLS4005V,115

PEMD2,115备选型号: PBLS4005V,115

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 极性
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 电阻基(R1)
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率 - 最大
  • 极性/通道类型
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 转换频率
  • 频率转换
  • 最大耗散功率(Abs)
  • Nexperia USA Inc.
    PEMD2,115
    Nexperia USA Inc.
    NEXPERIA - PEMD2,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 100 mA, 22 kohm
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    4.535924g
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2001
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    SMD/SMT
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -65°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    300mW
    FLAT
    MD2
    6
    NPN, PNP
    Dual
    300mW
    SWITCHING
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    50V
    100mA
    60 @ 5mA 5V
    1μA
    150mV @ 500μA, 10mA
    22k Ω
    22k Ω
    6.35mm
    12.7mm
    6.35mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PBLS4005V,115
    NXP USA Inc.
    TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
    -
    -
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    -
    -
    100mA 500mA
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    -
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    -
    FLAT
    PBLS4005
    6
    -
    -
    -
    SWITCHING
    1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
    -
    -
    80 @ 5mA 5V / 150 @ 100mA 2V
    1μA
    150mV @ 500μA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
    47k Ω
    47k Ω
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    YES
    SILICON
    DUAL
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F6
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
    300mW
    NPN和PNP
    50V 40V
    300MHz
    300MHz
    0.3W
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
PBSS4140V,115 PBSS4140V,115 NXP USA Inc. 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 SOT-563, SOT-666 TRANS NPN 40V 1A SOT666 对比
PBLS4005V,115 PBLS4005V,115 NXP USA Inc. 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 SOT-563, SOT-666 TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 对比