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1

￥3.071014
10

￥2.897181
100

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500

￥2.578482
1000

￥2.432532

Nexperia USA Inc. PEMD2,115

Name: PEMD2,115
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1729-PEMD2,115
Price: 3.07 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

PEMD2,115

品牌

Nexperia USA Inc.

utmel 编号

1729-PEMD2,115

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置

封装

SOT-563, SOT-666

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

NEXPERIA - PEMD2,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 100 mA, 22 kohm

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PEMD2,115 Nexperia USA Inc. NEXPERIA - PEMD2,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 100 mA, 22 kohm

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技术参数

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型号对比

Nexperia USA Inc. PEMD2,115重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

4 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

SOT-563, SOT-666
引脚数

6
质量

4.535924g
Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V
Number of Elements

2
hFEMin

60
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2001
JESD-609代码

e3
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

6
终端

SMD/SMT
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin (Sn)
最高工作温度

150°C
最小工作温度

-65°C
附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大功率耗散

300mW
终端形式

FLAT
基本部件号

MD2
引脚数量

6
极性

NPN, PNP
元素配置

Dual
功率耗散

300mW
晶体管应用

SWITCHING
晶体管类型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)

50V
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 5mA 5V
最大集极截止电流

1μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

150mV @ 500μA, 10mA
电阻基(R1)

22k Ω
电阻-发射极基极(R2)

22k Ω
高度

6.35mm
长度

12.7mm
宽度

6.35mm
达到SVHC

无SVHC
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant

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