PF53012备选型号: 2N7000BU
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)
- 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 基本部件号
- 接通延迟时间
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 达到SVHC
- JFET N-CH 30V TO92通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)3-55°C~150°C TJBulk2011Obsolete1 (Unlimited)30V625mW50mASingle625mWN-Channel40V3pF30μA @ 10V1.7V @ 1nA符合RoHS标准无铅--------------------
- MOSFET 60V N-Channel Sm Sig通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)3-55°C~150°C TJBulk2013活跃1 (Unlimited)60V-200mASingle400mWN-Channel60V---ROHS3 Compliant无铅11 WeeksCopper, Silver, Tin10 nse3EAR995OhmTin (Sn)2N700010 ns5 Ω @ 500mA, 10V3V @ 1mA50pF @ 25V10ns±20V10 ns200mA3.9V30V0.2A无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BS270 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | MOSFET Transistor, N Channel, 400 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V | 对比 |
![]() | 2N7000BU | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | MOSFET 60V N-Channel Sm Sig | 对比 |
![]() | 2N7000 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | ON SEMICONDUCTOR - 2N7000 - MOSFET Transistor, N Channel, 200 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V | 对比 |



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