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首页 全部分类 PH3120L,115 vs NTD110N02R

PH3120L,115备选型号: NTD110N02R

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • Nexperia USA Inc.
    PH3120L,115
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 20V 100A LFPAK
    表面贴装
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    5
    SILICON
    100A Tc
    2V @ 1mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    TrenchMOS™
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    R-PSSO-G4
    Single
    增强型MOSFET
    62.5W
    DRAIN
    34 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.65m Ω @ 25A, 10V
    4457pF @ 10V
    48.5nC @ 4.5V
    90ns
    ±20V
    88 ns
    100A
    20V
    0.0037Ohm
    20V
    300A
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD110N02R
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    12.5A Ta 110A Tc
    2V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    -
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    2.88W
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    4.6m Ω @ 20A, 10V
    3440pF @ 20V
    28nC @ 4.5V
    39ns
    ±20V
    21 ns
    110A
    20V
    0.0062Ohm
    24V
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    2009
    8541.29.00.95
    24V
    235
    110A
    未说明
    不合格
    12.5A
    120 mJ
    not_compliant
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