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首页 全部分类 PH3120L,115 vs PSMN1R9-25YLC,115

PH3120L,115备选型号: PSMN1R9-25YLC,115

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 源Url状态检查日期
  • 达到SVHC
  • Nexperia USA Inc.
    PH3120L,115
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 20V 100A LFPAK
    表面贴装
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    5
    SILICON
    100A Tc
    2V @ 1mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    TrenchMOS™
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    R-PSSO-G4
    Single
    增强型MOSFET
    62.5W
    DRAIN
    34 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.65m Ω @ 25A, 10V
    4457pF @ 10V
    48.5nC @ 4.5V
    90ns
    ±20V
    88 ns
    100A
    20V
    0.0037Ohm
    20V
    300A
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PSMN1R9-25YLC,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-Ch 25V 2.05 mOhms
    -
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    4
    -
    100A Tc
    1.95V @ 1mA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    2.05m Ω @ 25A, 10V
    3504pF @ 12V
    57nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    2011
    25V
    2013-06-14 00:00:00
    not_compliant
  • 添加型号
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