Nexperia USA Inc. PH3120L,115

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-100, SOT-669

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

62.5W Tc

Turn Off Delay Time

114 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 1mA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G4

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

62.5W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

34 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.65m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4457pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

48.5nC @ 4.5V

上升时间

90ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

88 ns

连续放电电流(ID)

100A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0037Ohm

漏源击穿电压

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

300A

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅