PMDPB30XN,115备选型号: DMP2066LDM-7
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 输入电容
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- 最大rds
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 晶体管应用
- Vgs(最大值)
- 阈值电压
- DS 击穿电压-最小值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
- PMDPB30XN Series 20 V 40 mOhm 490 mW Dual N-Channel TrenchMOS FET - DFN-2020-68 Weeks表面贴装表面贴装6-UDFN Exposed Pad86-HUSON-EP (2x2)4A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012活跃1 (Unlimited)150°C-55°C490mW2Dual40 ns490mW2 N-Channel (Dual)40mOhm @ 3A, 4.5V900mV @ 250μA660pF @ 10V21.7nC @ 4.5V15ns20V16 ns4A650mV660pF逻辑电平门32mOhm40 mΩ无ROHS3 Compliant------------------------
- MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26-表面贴装表面贴装SOT-23-66-4.6A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011Obsolete1 (Unlimited)---1Single4.4 ns-P-Channel40m Ω @ 4.6A, 4.5V1.2V @ 250μA820pF @ 15V10.1nC @ 4.5V9.9ns20V9.9 ns4.6A12V----无ROHS3 CompliantSILICONe3yes6EAR9940mOhmMatte Tin (Sn)HIGH RELIABILITYDUAL鸥翼260406增强型MOSFET1.25WSWITCHING±12V960mV20V1.1mm3mm1.6mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NTHS5404T1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SMD, Flat Lead | MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET | 对比 |
| MCH3484-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-SMD, Flat Lead | MOSFET N-CH 20V 4.5A MCPH3 | 对比 | |
![]() | DMP2066LDM-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26 | 对比 |





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