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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.849876
10
¥1.745167
100
¥1.646384
500
¥1.553192
1000
¥1.465275
Nexperia USA Inc. PMDPB30XN,115
- 收藏
- 对比
PMDPB30XN,115
1729-PMDPB30XN,115
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-UDFN Exposed Pad
大陆
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PMDPB30XN Series 20 V 40 mOhm 490 mW Dual N-Channel TrenchMOS FET - DFN-2020-6
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PMDPB30XN,115详情
Nexperia USA Inc. PMDPB30XN,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
引脚数
8
供应商器件包装
6-HUSON-EP (2x2)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4A
Turn Off Delay Time
4 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
490mW
通道数量
2
元素配置
Dual
接通延迟时间
40 ns
功率 - 最大
490mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
40mOhm @ 3A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
660pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
21.7nC @ 4.5V
上升时间
15ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
16 ns
连续放电电流(ID)
4A
栅极至源极电压(Vgs)
650mV
输入电容
660pF
场效应管特性
逻辑电平门
漏源电阻
32mOhm
最大rds
40 mΩ
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMDPB30XN,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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