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首页 全部分类 PMDPB30XN,115 vs NTHS5404T1G

PMDPB30XN,115备选型号: NTHS5404T1G

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  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 高度
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  • 宽度
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  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    PMDPB30XN,115
    Nexperia USA Inc.
    PMDPB30XN Series 20 V 40 mOhm 490 mW Dual N-Channel TrenchMOS FET - DFN-2020-6
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    8
    6-HUSON-EP (2x2)
    4A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    490mW
    2
    Dual
    40 ns
    490mW
    2 N-Channel (Dual)
    40mOhm @ 3A, 4.5V
    900mV @ 250μA
    660pF @ 10V
    21.7nC @ 4.5V
    15ns
    20V
    16 ns
    4A
    650mV
    660pF
    逻辑电平门
    32mOhm
    40 mΩ
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTHS5404T1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET
    2 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    -
    5.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    Single
    8 ns
    -
    N-Channel
    30m Ω @ 5.2A, 4.5V
    600mV @ 250μA
    -
    18nC @ 4.5V
    7ns
    -
    7 ns
    7.2A
    12V
    740pF
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 17 hours ago)
    4.535924g
    SILICON
    e3
    yes
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    20V
    DUAL
    C 弯管
    260
    5.2A
    40
    8
    增强型MOSFET
    1.3W
    SWITCHING
    ±12V
    600mV
    0.03Ohm
    20V
    20V
    1.1mm
    3.1mm
    1.7mm
    无SVHC
    无铅
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