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首页 全部分类 PMF780SN,115 vs FDY302NZ

PMF780SN,115备选型号: FDY302NZ

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 引脚数
  • 质量
  • 无铅代码
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    PMF780SN,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 60V 570MA SOT323
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    YES
    SILICON
    570mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    TrenchMOS™
    1997
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.75
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    3
    R-PDSO-G3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    920m Ω @ 300mA, 10V
    2V @ 250μA
    23pF @ 30V
    1.05nC @ 10V
    60V
    ±20V
    0.57A
    0.92Ohm
    60V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDY302NZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 20V Sgl N-Ch 2.5V Spec PwrTrench
    表面贴装
    SC-89, SOT-490
    -
    SILICON
    600mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    DUAL
    FLAT
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    300m Ω @ 600mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    60pF @ 10V
    1.1nC @ 4.5V
    -
    ±12V
    0.6A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    3
    30mg
    yes
    Single
    625mW
    6 ns
    8ns
    2.4 ns
    600mA
    12V
    20V
    780μm
    1.7mm
    980μm
    无
    无铅
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