ON Semiconductor 2N7002DW
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2N7002DW
1807-2N7002DW
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6
--最小包装量--
2N7002DW详情
ON Semiconductor 2N7002DW重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
供应商器件包装
SC-88 (SC-70-6)
质量
28mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
115mA
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
12.5 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
7.5Ohm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
200mW
通道数量
2
元素配置
Dual
功率耗散
200mW
接通延迟时间
5.85 ns
功率 - 最大
200mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.5Ohm @ 50mA, 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
50pF @ 25V
漏源电压 (Vdss)
60V
连续放电电流(ID)
115mA
阈值电压
1.76V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
78V
输入电容
50pF
最大结点温度(Tj)
150°C
场效应管特性
逻辑电平门
漏源电阻
2Ohm
最大rds
7.5 Ω
栅源电压
1.76 V
高度
1.1mm
长度
2mm
宽度
1.25mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2N7002DW拓展信息










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