2N7002DW
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ON Semiconductor 2N7002DW

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型号

2N7002DW

utmel 编号

1807-2N7002DW

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6

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2N7002DW
2N7002DW ON Semiconductor MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6

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2N7002DW详情

ON Semiconductor 2N7002DW重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

  • 引脚数

    6

  • 供应商器件包装

    SC-88 (SC-70-6)

  • 质量

    28mg

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    115mA

  • Number of Elements

    2

  • Turn Off Delay Time

    12.5 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2008

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 电阻

    7.5Ohm

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 最大功率耗散

    200mW

  • 通道数量

    2

  • 元素配置

    Dual

  • 功率耗散

    200mW

  • 接通延迟时间

    5.85 ns

  • 功率 - 最大

    200mW

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    7.5Ohm @ 50mA, 5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    50pF @ 25V

  • 漏源电压 (Vdss)

    60V

  • 连续放电电流(ID)

    115mA

  • 阈值电压

    1.76V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    78V

  • 输入电容

    50pF

  • 最大结点温度(Tj)

    150°C

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • 漏源电阻

    2Ohm

  • 最大rds

    7.5 Ω

  • 栅源电压

    1.76 V

  • 高度

    1.1mm

  • 长度

    2mm

  • 宽度

    1.25mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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