PMG370XN,115备选型号: DMN2040LTS-13
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 晶体管元件材料
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- 包装
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 引脚数
- 质量
- 无铅代码
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 30V 0.96A 6TSSOP表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363YESSILICON2.5V 4.5V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)TrenchMOS™1997e3Obsolete1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)8541.29.00.75DUAL鸥翼未说明未说明6R-PDSO-G6不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING440m Ω @ 200mA, 4.5V1.5V @ 250μA37pF @ 25V0.65nC @ 4.5V30V±12V0.96A0.44Ohm30VROHS3 Compliant---------------------
- MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP表面贴装8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)-SILICON6.7A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012009e3活跃1 (Unlimited)8EAR99Matte Tin (Sn)--鸥翼260408---增强型MOSFET2 N-Channel (Dual) Common DrainSWITCHING26m Ω @ 6A, 4.5V1.2V @ 250μA570pF @ 10V5.2nC @ 4.5V-----ROHS3 Compliant24 Weeks表面贴装8157.991892mgyes低温保持890mW890mW5.2 ns13.5ns6.1 ns6.7A12V20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandard1.025mm4.5mm3.1mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN2040LTS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP | 对比 |
![]() | PMGD130UN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP | 对比 |
![]() | PMGD8000LN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP | 对比 |




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