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PMG370XN,115备选型号: PMGD130UN,115
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- 晶体管元件材料
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 功率 - 最大
- 场效应管特性
MOSFET N-CH 30V 0.96A 6TSSOP表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363YESSILICON2.5V 4.5V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)TrenchMOS™1997e3Obsolete1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)8541.29.00.75DUAL鸥翼未说明未说明6R-PDSO-G6不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING440m Ω @ 200mA, 4.5V1.5V @ 250μA37pF @ 25V0.65nC @ 4.5V30V±12V0.96A0.44Ohm30VROHS3 Compliant--- MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363--1.2A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2012-Obsolete1 (Unlimited)--------6----2 N-Channel (Dual)-145m Ω @ 1.2A, 4.5V1V @ 250μA83pF @ 10V1.3nC @ 4.5V20V----ROHS3 Compliant390mW逻辑电平门
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| PMGD130UN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP | 对比 |
 | DMN2019UTS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8 | 对比 |
| PMGD8000LN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP | 对比 |
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