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首页 全部分类 PMPB215ENEAX vs FDME1023PZT

PMPB215ENEAX备选型号: FDME1023PZT

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  • 质量
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  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 功率 - 最大
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Nexperia USA Inc.
    PMPB215ENEAX
    Nexperia USA Inc.
    Mosfet Transistor, N Channel, 1.9 A, 80 V, 0.175 Ohm, 10 V, 1.7 V Rohs Compliant: Yes
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    1.9A Ta
    2.7V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    DUAL
    IEC-60134
    S-PDSO-N6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    3.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    230m Ω @ 1.9A, 10V
    215pF @ 40V
    7.2nC @ 10V
    2ns
    80V
    ±20V
    3 ns
    1.9A
    20V
    0.23Ohm
    7.6A
    80V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDME1023PZT
    ON Semiconductor
    MOSFET 20V Dual P-Channel PowerTrench
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UFDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    2
    -
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    4.7 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    142m Ω @ 2.3A, 4.5V
    405pF @ 10V
    7.7nC @ 4.5V
    4.8ns
    20V
    -
    16 ns
    2.6A
    8V
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    25.2mg
    e4
    yes
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    ESD PROTECTION
    1.4W
    Dual
    1.3W
    600mW
    1V @ 250μA
    -600mV
    -20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -600 mV
    75 pF
    500μm
    1.6mm
    1.6mm
    无SVHC
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