Nexperia USA Inc. PMPB215ENEAX
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PMPB215ENEAX
1729-PMPB215ENEAX
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-UDFN Exposed Pad
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Mosfet Transistor, N Channel, 1.9 A, 80 V, 0.175 Ohm, 10 V, 1.7 V Rohs Compliant: Yes
--最小包装量--
PMPB215ENEAX详情
Nexperia USA Inc. PMPB215ENEAX重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.9A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.6W Ta 15.6W Tc
Turn Off Delay Time
9.5 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.7V @ 250μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子位置
DUAL
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
S-PDSO-N6
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
3.5 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
230m Ω @ 1.9A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
215pF @ 40V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7.2nC @ 10V
上升时间
2ns
漏源电压 (Vdss)
80V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
3 ns
连续放电电流(ID)
1.9A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.23Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
7.6A
DS 击穿电压-最小值
80V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PMPB215ENEAX拓展信息
Nexperia USA Inc.
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