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PMV20ENR备选型号: DMN3070SSN-7
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 触点镀层
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- RoHS状态
- 质量
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- DS 击穿电压-最小值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
Trans Mosfet N-ch 30V 7.6A 3-PIN SOT-23 T/r4 WeeksTO-236-3, SC-59, SOT-23-3表面贴装表面贴装Tin3SILICON2V @ 250μA9 ns2014Cut Tape (CT)-55°C~150°C TJe3活跃1 (Unlimited)3DUAL鸥翼26030SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET9 nsN-ChannelSWITCHING21m Ω @ 6A, 10V435pF @ 15V10.8nC @ 10V17ns30V±20V8 ns6A20V6A0.021OhmROHS3 Compliant-------------
MOSFET N-CH 30V 4.2A SC5916 WeeksTO-236-3, SC-59, SOT-23-3表面贴装表面贴装-59SILICON2.1V @ 250μA4.2A Ta2010Cut Tape (CT)-55°C~150°C TJe3活跃1 (Unlimited)3DUAL鸥翼---增强型MOSFET4.3 nsN-ChannelSWITCHING40m Ω @ 4.2A, 10V697pF @ 15V13.2nC @ 10V20.1ns30V±20V4.1 ns4.2A20V-0.04OhmROHS3 Compliant7.994566mgEAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITYR-PDSO-G31Single30V1.3mm3.1mm1.7mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDN537N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET 30V Single N-Ch PowerTrench MOSFET | 对比 |
| DMN3070SSN-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59 | 对比 |
 | IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23-3 | 对比 |
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