Nexperia USA Inc. PMV20ENR

工厂交货时间

4 Weeks

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

触点镀层

Tin

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 250μA

Turn Off Delay Time

9 ns

Power Dissipation (Max)

510mW Ta 6.94W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A Ta

已出版

2014

包装

Cut Tape (CT)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

21m Ω @ 6A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

435pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10.8nC @ 10V

上升时间

17ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

6A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6A

漏极-源极导通最大电阻

0.021Ohm

RoHS状态

ROHS3 Compliant