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首页 全部分类 PMV30UN2R vs NTR3C21NZT3G

PMV30UN2R备选型号: NTR3C21NZT3G

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 环境温度范围高
  • 高度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Nexperia USA Inc.
    PMV30UN2R
    Nexperia USA Inc.
    In a Pack of 50, N-Channel MOSFET, 5.4 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia PMV30UN2R
    4 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    4.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    1997
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    DUAL
    鸥翼
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    1W
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    32m Ω @ 4.2A, 4.5V
    900mV @ 250μA
    655pF @ 10V
    11nC @ 4.5V
    26ns
    ±12V
    10 ns
    4.2A
    650mV
    12V
    20V
    150°C
    150°C
    1.1mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTR3C21NZT3G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3
    4 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -
    -
    3.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    24m Ω @ 5A, 4.5V
    1V @ 250μA
    1540pF @ 16V
    17.8nC @ 4.5V
    -
    ±8V
    -
    3.6A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    20V
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