Nexperia USA Inc. PMV30UN2R

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.2A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

490mW Ta 5W Tc

Turn Off Delay Time

35 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

1997

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1W

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

32m Ω @ 4.2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

900mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

655pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11nC @ 4.5V

上升时间

26ns

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

4.2A

阈值电压

650mV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

20V

最大结点温度（Tj）

150°C

环境温度范围高

150°C

高度

1.1mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅