PMV37EN2R备选型号: DMN3070SSN-7

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • RoHS状态
  • 质量
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 30V SOT23
    4 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    4.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    逻辑电平兼容
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    36m Ω @ 4.5A, 10V
    2V @ 250μA
    209pF @ 15V
    6.3nC @ 10V
    12ns
    30V
    ±20V
    2 ns
    4.5A
    20V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59
    16 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    59
    SILICON
    4.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    4.3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    40m Ω @ 4.2A, 10V
    2.1V @ 250μA
    697pF @ 15V
    13.2nC @ 10V
    20.1ns
    30V
    ±20V
    4.1 ns
    4.2A
    20V
    ROHS3 Compliant
    7.994566mg
    e3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    R-PDSO-G3
    1
    Single
    0.04Ohm
    30V
    1.3mm
    3.1mm
    1.7mm
    无SVHC
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