Diodes Incorporated DMN3042L-7
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DMN3042L-7
671-DMN3042L-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Single N-Channel 30 V 1.4 W 20 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
--最小包装量--
DMN3042L-7详情
Diodes Incorporated DMN3042L-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
23 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.8A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
720mW Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
26.5m Ω @ 5.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
860pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
20nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±12V
连续放电电流(ID)
5.8A
漏极-源极导通最大电阻
0.0265Ohm
DS 击穿电压-最小值
30V
反馈上限-最大值 (Crss)
80 pF
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMN3042L-7拓展信息
Diodes Incorporated
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