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首页 全部分类 PMV40UN2R vs DMN3070SSN-7

PMV40UN2R备选型号: DMN3070SSN-7

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  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
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  • 环境温度范围高
  • 高度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 质量
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 元素配置
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • Nexperia USA Inc.
    PMV40UN2R
    Nexperia USA Inc.
    NEXPERIA - PMV40UN2R - MOSFET Transistor, N Channel, 4.4 A, 30 V, 0.036 ohm, 4.5 V, 650 mV
    4 Weeks
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    表面贴装
    表面贴装
    SILICON
    34 ns
    1997
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    36mOhm
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    260
    30
    3
    R-PDSO-G3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    490mW
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    44m Ω @ 3.7A, 4.5V
    900mV @ 250μA
    635pF @ 15V
    12nC @ 4.5V
    ±12V
    3.7A
    400mV
    TO-236AB
    12V
    30V
    150°C
    150°C
    1.1mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN3070SSN-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59
    16 Weeks
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    表面贴装
    表面贴装
    SILICON
    4.2A Ta
    2010
    Cut Tape (CT)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    R-PDSO-G3
    -
    1
    增强型MOSFET
    -
    4.3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    40m Ω @ 4.2A, 10V
    2.1V @ 250μA
    697pF @ 15V
    13.2nC @ 10V
    ±20V
    4.2A
    -
    -
    20V
    -
    -
    -
    1.3mm
    ROHS3 Compliant
    -
    59
    7.994566mg
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    Single
    20.1ns
    30V
    4.1 ns
    0.04Ohm
    30V
    3.1mm
    1.7mm
    无
    无SVHC
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