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首页 全部分类 PMV40UN2R vs DMP3056L-7

PMV40UN2R备选型号: DMP3056L-7

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  • 端子位置
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  • 引脚数量
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 环境温度范围高
  • 高度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ECCN 代码
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Nexperia USA Inc.
    PMV40UN2R
    Nexperia USA Inc.
    NEXPERIA - PMV40UN2R - MOSFET Transistor, N Channel, 4.4 A, 30 V, 0.036 ohm, 4.5 V, 650 mV
    4 Weeks
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    表面贴装
    表面贴装
    SILICON
    34 ns
    1997
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    36mOhm
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    260
    30
    3
    R-PDSO-G3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    490mW
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    44m Ω @ 3.7A, 4.5V
    900mV @ 250μA
    635pF @ 15V
    12nC @ 4.5V
    ±12V
    3.7A
    400mV
    TO-236AB
    12V
    30V
    150°C
    150°C
    1.1mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMP3056L-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
    23 Weeks
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    表面贴装
    表面贴装
    SILICON
    4.3A Ta
    2016
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    -
    R-PDSO-G3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    1.38W
    4.9 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    50m Ω @ 6A, 10V
    2.1V @ 250μA
    642pF @ 25V
    11.8nC @ 10V
    ±25V
    -4.3A
    -
    -
    25V
    -30V
    150°C
    -
    1.1mm
    ROHS3 Compliant
    -
    EAR99
    30V
    0.05Ohm
    20A
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