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PMV450ENEAR备选型号: BSS138NH6433XTMA1
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- 安装类型
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- 晶体管元件材料
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- 系列
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 触点镀层
- 引脚数
- ECCN 代码
- HTS代码
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 无铅
Trans Mosfet N-ch 60V 0.8A 3-PIN SOT-23 T/r4 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3SILICON800mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012016活跃1 (Unlimited)3逻辑电平兼容DUAL鸥翼未说明未说明3AEC-Q101; IEC-60134R-PDSO-G3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING380m Ω @ 900mA, 10V2.7V @ 250μA101pF @ 30V3.6nC @ 10V60V±20V800mATO-236AB0.8A0.38Ohm60VROHS3 Compliant------------
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R10 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3SILICON230mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SIPMOS™2009活跃1 (Unlimited)3逻辑电平兼容DUAL鸥翼未说明未说明----增强型MOSFETN-Channel-3.5 Ω @ 230mA, 10V1.4V @ 26μA41pF @ 25V1.4nC @ 10V60V±20V230mA---60VROHS3 CompliantTin3EAR998541.21.00.95Single2.3 ns3ns20V1mm2.9mm1.3mm无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BSS138NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R | 对比 |
 | IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3 | 对比 |
 | DMP6350S-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CHA 60V 720MW SOT23 | 对比 |
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