PMV450ENEAR备选型号: IRLML2060TRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 引脚数
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 恢复时间
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- Trans Mosfet N-ch 60V 0.8A 3-PIN SOT-23 T/r4 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3SILICON800mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012016活跃1 (Unlimited)3逻辑电平兼容DUAL鸥翼未说明未说明3AEC-Q101; IEC-60134R-PDSO-G3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING380m Ω @ 900mA, 10V2.7V @ 250μA101pF @ 30V3.6nC @ 10V60V±20V800mATO-236AB0.8A0.38Ohm60VROHS3 Compliant---------------------
- MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-312 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3SILICON1.2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2010活跃1 (Unlimited)3-DUAL鸥翼------增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING480m Ω @ 1.2A, 10V2.5V @ 25μA64pF @ 25V0.67nC @ 4.5V-±16V1.2A----ROHS3 Compliant3e3EAR99480MOhmMatte Tin (Sn)Single1.25W4.9 ns3.8ns2.8 ns2.5V16V60V4.8A21 ns1.016mm3.0226mm1.397mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSS138NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R | 对比 |
![]() | IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3 | 对比 |
![]() | DMP6350S-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CHA 60V 720MW SOT23 | 对比 |






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