Infineon Technologies BSS138NH6433XTMA1
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BSS138NH6433XTMA1
1211-BSS138NH6433XTMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
--最小包装量--
BSS138NH6433XTMA1详情
Infineon Technologies BSS138NH6433XTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
230mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
360mW Ta
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
1.4V @ 26μA
Turn Off Delay Time
6.7 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
系列
SIPMOS™
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
逻辑电平兼容
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
2.3 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.5 Ω @ 230mA, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
41pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.4nC @ 10V
上升时间
3ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
230mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
DS 击穿电压-最小值
60V
高度
1mm
长度
2.9mm
宽度
1.3mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BSS138NH6433XTMA1拓展信息
Infineon Technologies
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